封装方式	传统封装 QFP、BGA）	晶圆级芯片尺寸封装 Wafer Level CSP
优点	技术成熟 制程稳定	尺寸小 成本低 简化制程 可达Fine Pitch要求
缺点	无法达到未来细间距要求 制程较复杂 完成的IC成本高	I/O数少A(<100)

WAFER LEVEL-CSP Flux钢板规格设计 – 传统型

PAD Opening 位置

• PAD Opening设计： X1: 上开口设计，X2=下开口设计 / X2 – X1 = 2~6um(可设计)
• Stencil Thickness (MF) : MF : 20~100um(可设计)
• Tension (N): 20~34N(可指定)

WAFER LEVRL CSP - 植球钢板规格设计

• PAD开孔设计： X1 开口尺寸视Solder Ball尺寸 ; X3 – X2 = 2~6um(可设计)
• Stencil Thickness (CT): CT:15~30um(可设计)
• Metal Foil Thickness (MF1 & MF2) : MF1 : 80~130um(可设计) ; MF2:200~250um(Metal or Polymer)
• Tension (N): 20~34N(可指定)

电铸版内壁比较图

Compared 日本Source Stencil and 正中电铸版 Opening Dimension.

正中电铸版 had better performance than 日本Source.

Compared 日本Source Stencil and 正中电铸版 之 落锡量分析

正中电铸版 had better performance than 日本Source.

Stencil Application and surface technology

Surface Treatment

Flux钢板规格设计 – 正中Alpha StenSol (Design for Liquid Flux)

PAD 位置开孔

• PAD开孔设计： X1 开口尺寸视Flux下墨量决定尺寸 ; X3 – X2 = 2~6um(可设计)
• Alpha Mesh Thickness (CT): CT:15~30um(可设计)
• Metal Foil Thickness (MF) : MF : 20~100um(可设计)
• Tension (N): 20~34N(可指定)

半导体扫锡球电铸版技术规范

底层
最大图形设计 Biggest Design Size	6吋~12吋 晶圆
材质：Material	NiCo合金
总长精度(%)：Accumulate Accuracy：	+/-0.01%L
版厚区间(μm)：Thickness Range	20~200
版厚精度<图形范围内>(μm)：Thickness Accuracy	20~50μm(+/-3μm) 51~100μm(+/-10μm) 101~200μm(+/-20μm)
最小开口孔径(μm)：Minimum Aperture	50μm
最小开口间距(μm)：Minimum Space	50μm
开口精度(μm)：Opening Aperture Accuracy	+/-3μm(版厚区间：20~50μm) +/-5μm(版厚区间：51~100μm) +/-5μm(版厚区间：101~200μm)
宽厚比：Aspect Ratio	≦1:1.2

架桥层
材质：Material	高分子/NiCo合金
单边对位宽度(μm)：Alignemnet Space：	30μm/side
版厚精度(图形范围内)：Thickness Accuracy	高分子：+/-3μm NiCo合金：+/-10μm
最小架桥面积(μm)：Minimum Support Area	40μm×40μm
最小架桥宽度(μm)：Minimum Spport Width	40μm×40μm

成品
宽厚比：Aspect Ratio	≦1:1.2
张力(N)：Tension	20~34

正中电铸加工+ 高分子膜 制程优点

• 电铸成形加工之钢版，其累积误差控制及膜厚较为精准。
• 支撑点采高分子膜，其平坦度较佳，膜厚均匀度可控制在3μm以下。
• 制程采电铸制程，材质为镍钴合金，使用寿命较长。
• 高分子膜面积平均布满，印刷时不会因单点硬度不均，造成被印物压损。

图示说明

• 高分子膜距开孔距X值为50~500μm(依产品设计而定)

图示说明

• 高分子膜距开孔距X值为50~500μm(依产品设计而定)